研究團隊認為這種設計能夠在未來在AI系統建設中發揮重要作用，溫存同時電路整合設計也可以極大程度地提升計算的儲設速度，首先科學家將45nm厚的備亮氮化鋁鈧作為絕緣層，從而確保極端環境下的相突系統穩定。

目前的存儲系統在超高溫環境下似乎完全沒有辦法，另外為了應對超高溫對于電子元器件的負面影響，來為以后提升AI超算系統的穩定性提供硬件保證。即使是工業級的SSD也僅能在100余度的高溫中穩定工作，可以提升AI超算的運行穩定性，另外在未來的星際旅行中能夠擁有這種抗高溫與嚴苛環境的存儲設備，從而提升運行的速度。目前美國的大學實驗室稱已經研發出全新的存儲設備，通過絕緣層實現在超高溫下的運行。團隊表示這種設計將突破材料的限制，將主控芯片與閃存集成在一起，

科學家表示他們研發出氮化鋁鈧這種物質，同時也將改變整個行業芯片設計的思路，估計商用也是面向科研以及大型企業機構。